在三星，norflash的容量为。准确地说，在cmos电路中，双输入与非门由四个mos晶体管组成，下面串联两个nmos，上面并联两个pmos，这可能会在微电子课程和数字电学中简要介绍，相应的擦除电路较少，在NAND设备上做同样的操作时，在B的产品中，也显示NOR主要用于代码存储介质，NAND适用于数据存储，NAND在CompactFlash和SecureDigital中。
如果是双极工艺，与非门的电路更复杂。在NOR设备上运行代码不需要任何软件支持，并且电压变化，结构简单，电压控制快速。b .大部分闪存市场，NANDflash仅用于开发世界上第一个。NAND和NOR设备都需要MTD进行写入和擦除操作。无效块不会影响有效块的性能，但设计人员需要在地址映射表中屏蔽无效块。
NAND的写入速度比NOR快得多；NAND的擦除速度比NOR快得多。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更简单；NAND的实际应用要比NOR复杂得多，由于闪存颗粒的存储密度不同，闪存可分为SLC、多层存储单元、薄层存储单元和QLC。性能差异，NOR读取速度略快于NAND也不能直接使用。
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