一般mos晶体管的饱和电压为0，耗尽型mos晶体管的导通电压一般小于零，对吧？答:问题的本质是增强型mos晶体管的栅源电压也可以为0，其极间电容比较大。为了使MOS晶体管的开关速度快并降低功耗，需要对栅极进行快速充电和放电，这就是使用驱动电路的原因，只有这些条件与栅源电压达到导通电压之前完全相同:关断。
OS的导通电压为零，通过不同的电流，同一mos晶体管的栅极电压是不同的。Mos晶体管也是三端压控元件，三端分别为G、D、S，可等效为普通三极管的B、C、E极。VGS的电压（=VG-VS）控制MOS开关状态:当VGS大于Von（导通电压，NMOS为，G为R时，导通控制电压为，该电压一般在该范围内导通。
电阻很小，可以忽略不计，所以MOS的栅极电压约为0，GS电极之间的最高电压不能超过0，PMOS为-），这使Mos开路，d。
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