在一般电子电路中，MOS晶体管通常用于放大器电路或开关电路。Nmos晶体管有一个高电平栅极和一个低电平栅极，可以用来控制地的通断，pmos晶体管有一个低电平栅极和一个高电平栅极，可以用来控制电的通断，下图是控制mos管通断的一个例子:当单片机的引脚为高电平时，mos管导通，mos管截止，这是一种常见的pwm驱动mos晶体管开关电路:只有单个MOS晶体管的常见驱动模式与此增强型n mos晶体管类似，并且直接添加了一个电阻来限制电流。
其特点是漏极电流由栅极电压控制，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但载流量小。由于MOS管中存在寄生电容，有时为了加速电容的放电，会在限流电阻上反向并联一个二极管。结型功率场效应晶体管一般称为静电感应晶体管（SIT）。
释放栅源电荷。给你这个电路图做参考，摸个安，MOS管是压控器件，作为开关使用，首先，当NMOS晶体管的栅极电压低于阈值电压时，不能形成沟道，并且高阻抗状态位于源极和漏极之间。在这种情况下，NMOS管相当于一个开路开关，或者如何在栅极和源极之间串联一个电阻？MOS晶体管的特征开关特性。没必要。
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