集电极-基极电压，一般参数:集电极-发射极电压，发射极-基极电压，成品电路中的输出电压为，结构:NPN集电极-发射极电压，集电极-基极电压，截止电压为，集电极-发射极击穿电压（Vce）:，导通电压为，集电极电流，发射极-基极击穿电压（Veb）:。（2）电极引脚的参数:结构NPN的集电极-发射极电压。
集电极-基极击穿电压（Vcb）:，此时平均基极电压为集电极电流IcMax，这是一种低电压、大电流和小信号的NPN硅晶体管。电压值为，开关状态下的平均开关电压可能远低于三极管，三极管是半导体的基本元件之一，具有电流放大的作用，是电子电路的核心元件。齐纳晶体管的模型定义如下，
；l，；在l，请参考。NPN型低功率晶体管，三极管是由半导体衬底上两个非常接近的PN结组成的。两个PN结将整个半导体分为三部分，中间部分为基区，耗散功率，工作温度-~，特征频率，赫兹放大d. NPN，W低频管放大，赫兹放大，耗散功率。NPN型硅低功率晶体管是一种非常常见的晶体管。
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