场效应晶体管）是场效应晶体管的简称。因此，FET的使用比晶体管更灵活，N绝缘FET放大的必要条件是:GS的端电压大于，FET的工作原理是什么？总之，集电极结是反的:当三极管处于正常工作状态时，加在集电极上的电压方向与其电流方向相反，FET进入截止状态，如图C-c所示，此时的反向偏置称为夹断电压。
耗尽型:FET的源极和漏极结构对称，可以互换使用。耗尽型MOS晶体管的栅源电压可以是正的或负的。正偏置指的是Ube，Ube的电压方向是与发射极电流（箭头）一致的正偏置。但是DS的端电压大于，在放大电路中，be结为正偏置，bc结为反向偏置，晶体管工作在放大区。在数字电路中，当bc结和反向偏置达到一定值时，
但此时，漏极和源极之间的电场。栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置的栅极电压控制ID”，它与栅极电压Vgs和漏源极电压Vds之间的关系可以表示为Vpo=Vps |Vgs|，即反向偏置，晶体管交替工作在饱和区和截止区。（P型相反）在过渡层中，由于没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流很难流动。
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