FET的输出电流与输入电压成正比。特定mos晶体管的阈值电压是固定的，即栅极有效控制电压，其中Vgs为MOS管的栅源电压，VT为MOS管的阈值电压，β为MOS管的放大系数，它们的引脚排列（仰视图）MOS场效应晶体管相对“精致”。这是因为它的输入电阻很高，栅极和源极之间的电容很小，因此很容易被外部电磁场或静电充电，少量的电荷可以在电极之间的电容上形成相当高的电压（U=Q/C），这会损坏电子管。
VGD越大）栅极阈值电压（VGS）。当栅极电压降低时，导电沟道变窄，电流减小。这种晶体管的工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。一般来说，抗压性越高，抗压性越高。当栅极电压增加时，源极和漏极之间的导电沟道变宽，电流增加。连续漏极电流（ID）:脉冲漏极电流（IDM）:漏源电压（VDS）:栅源电压（VGS）: /-。
封装:SOT-特性:高效率mos管的电参数:，mos管是一种金属氧化物（OXID）半导体场效应晶体管。对于以多晶硅作为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型和掺杂浓度而变化。如果加到mos管上的VGS大于规定的最大值，mos管就会损坏。
mos管漏源导通电阻的计算公式为Ron=，如果你说加在mos管上的VGS大于规定的最大值，mos管会怎么样？最大工作电流（ID）是“在漏极和源极之间流动的沟道的ID，用于控制栅极和沟道之间的pn结形成的栅极电压的反向偏置”。ID一般优于（上图）实际工作电流，SD的正向电压降（VSD）越小越好。
